DLC 薄膜製備技術的研究開始於七十年代。1971年成功地利用碳離子束沉積出DLC薄膜以來，離子束沉（chén）積法（fǎ）是開（kāi）始用於製備 DLC膜。其後研究者發現了一係列生成DLC薄膜的辦法。
      大多（duō）數能夠在氣相中沉積的（de）薄膜材料也（yě）能在液（yè）相中通過電化學方法合成，反之亦然。給DLC薄膜的製備帶來了新的（de）思路，現在除了常見的化學氣相沉積和物理氣相沉積(PVD)， 也可（kě）以通（tōng）過液相的電化學沉積來（lái）製備DLC膜。

1.離子束沉積，是（shì）指（zhǐ）離子源生成的碳離子經質量分析磁場後單一價（jià）態的碳離子沉積在襯底上形成類（lèi）金（jīn）剛石薄膜，可（kě）獲得大離子電（diàn）流、排氣能力強,可排除含氫的所有（yǒu）氣體;

2.濺射沉積，是指利用射頻（pín）振蕩或磁場激（jī）發的氫離子轟擊固體石（shí）墨靶，形成濺射碳原子(或離子)，從而在基材表麵沉積類金剛石（shí）薄膜，這種方法的（de）特點是沉積離子的能量（liàng）範圍寬（kuān）。主要包括直流濺射（shè）、射頻濺射和磁控濺射三種（zhǒng）具體形式；

3.陰極弧沉積，是通過點弧裝置引燃電弧，在電源（yuán）的維持和磁場的推動下，電弧在靶麵（miàn）所經之處（chù）碳被（bèi）蒸發並離化，同時在真空弧和基體（tǐ）之間增加磁（cí）過濾信道，通過調整磁場強（qiáng）度和偏壓等參數，使得等離子（zǐ）體中的大顆粒中性成分及部分離子在信道中濾（lǜ）掉，從而獲得由單一成分碳離子組成（chéng）的沉（chén）積離子。操作方便、沉積速率較快,但易造成薄膜的汙染；

4.脈衝激（jī）光沉積，是指脈衝激光束通過聚焦（jiāo）透鏡（jìng）和石英窗（chuāng）口引入空積腔後，投射在旋轉的石墨靶上，在高能量密度的激光作用下形成激光等離子體（tǐ）放電，並（bìng）且產生的碳離子有1keV量級的能量，在基體上（shàng）形成sp3鍵的四配（pèi）位（wèi）結構，最（zuì）終形（xíng）成類金剛石薄膜。沉積速率高，可（kě）以獲得高sp3含量的無氫類（lèi）金剛石薄膜，但耗能高、沉積（jī）麵積小；

5.直接光化學氣相沉積，是利用光子促進氣體的（de）分解來沉積類金剛石薄（báo）膜。成膜時無（wú）高能（néng）粒子輻射等問題，基片溫度可降的很低（dī），因而在（zài）低溫成膜方麵比較有優勢（shì）；

6.等離子（zǐ）體增強化學氣相沉積（jī），是指通過低（dī）氣壓等（děng）離子體放電使氣體碳源分解生成各種含碳的中性（xìng）或（huò）離子基團(如CH3、CH2、CH+、C2等（děng）)和原子(或離子)氫(H、H+)，並在基（jī）片負偏壓的作用下使含碳基團轟擊、吸附在基片（piàn）表麵（miàn），同時原子氫對結構中sp2碳成分產生（shēng）刻蝕作用,從而（ér）形成由sp2和sp3碳混雜結構的氫化類金剛石薄（báo）膜。該方法提高了原料氣體的分解率，降低了沉（chén）積溫度，而且可以通過改變沉積參（cān）數來獲得所需質量的薄膜；

7.電化（huà）學沉（chén）積，傳統的電化學沉積大多是在離子性的水溶液或有導電介質的（de）有機溶液中進行，溶液的導電能力很好（hǎo），因而合成（chéng）過程中（zhōng）隻需（xū）施加很小的電壓（yā）就能完成反應。但電化學沉積法製備DLC薄膜采用含碳的純淨有機溶液作為電解質，這些有機溶劑在一般條件下不會（huì）離解成離子，極（jí）化程度也很弱（ruò）。

      因此通常在兩個電極（jí）之間施加很高的電（diàn）壓，即利用強電場使溶液中的C-H、C-O和O-H等鍵發生斷裂生成碳碎片，從而使含碳的成分以極性基團或離子的形式到達基片，並（bìng）且在基片所處的高（gāo）電位下得以活（huó）化，進而生成含一定sp3成分的類金剛石薄膜。